光刻机,被誉为芯片产业的皇冠明珠,曾经是制造芯片不可或缺的关键技术,它被视为比还稀缺的存在,制造难度极高,工艺复杂,涉及多国顶尖技术的集成。
然而,在前几天项立刚表示,这颗曾经被人垂青的明珠如今却正在逐渐变成中国自主掌控的玻璃珠,标志着中国芯片产业了新的起点。
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早在上世纪80年代,中国就已经开始了自主研制光刻机的尝试,然而,由于当时基础薄弱、技术实力有限,加之缺乏关键零部件供给,这一努力最终不得不放弃。
主要基于光刻机是制造芯片不可或缺的关键设备,代表了集成电制造的最高技术水平。
掌握了光刻机,就等于掌握了芯片制造的命门,直接关系到一个国家在电子信息产业的发展前景。
由于芯片产业被认为是支撑国家综合国力的战略性产业,拥有先进的芯片设计和制造能力意味着在国防玻璃珠、航空航天、人工智能等领域占据优势。
国家出于自身战略利益的需求,不希望中国在芯片领域取得重大突破,因为中国是国家的主要经济竞争对手,中国芯片产业发展有利于国家在这一领域的技术垄断地位。
另一方面,一些国家担心,如果中国掌握了先进芯片制造技术,可能会将其用于军事等领域,从而到国家的,因此,对中国实施技术成为一种防范措施。
最后,光刻机技术高度复杂精密,很多关键零部件和技术都掌握在国家手中,出于知识产权的考虑,国家不愿意将这些核心技术转让给中国。
直到近年来,随着国家持续大力投入和科研实力的不断增强,中国才在这一领域取得了突破性进展。
经过20多年的自主研发,上海微电子在ArF(193纳米)和KrF(248纳米)光刻机领域达到了国际先进水平。
其ArF和KrF光刻机已实现批量供货,成为华为海思、紫光展锐等龙头芯片企业的重要供应商。
华卓精科则在EUV(13.5纳米)极紫外光刻机领域取得突破,EUV光刻机是目前最先进的光刻设备,可实现5纳米及以下的超精细制程。
而华为凭借这一技术实现了7纳米芯片的量产,结束了长期依赖进口的被动局面。
中微半导体则专注于I-line(365纳米)光刻机的研发,经过十几年的努力,终于实现了国产替代,只不过距离真正的I-line光刻机还有有些差距。
与此同时,中微半导体还在加紧推进14纳米技术的研发,有望在未来两到三年内投产。
除上述三家龙头企业外,国内还涌现出一批技术实力不俗的新兴公司,如中科精华、常州新威半导体、纳芯科技等,分别在ArF、KrF和EUV等不同技术线上取得进展。
可以说,中国自主研发的光刻机已在很多领域取得了重要突破,根据中国半导体行业协会的数据,在ArF和KrF光刻机领域,国产化率已经很高了。
在28纳米及以上制程的I-line光刻机上,国产替代已初见成效;而在14纳米及以下先进制程,多家企业的技术线图已渐趋清晰。
然而,与国际先进水平相比,中国光刻机产业仍存在一定差距,最突出的短板在于EUV光刻机,该技术目前仍被荷兰ASML公司完全垄断。
为实现彻底的自主可控,中国制定了明确的发展线纳米制程工艺的国产化,用国产光刻机满足80%以上国内芯片企业的需求。
3年之内,则将力争打破EUV光刻机的技术垄断,成为全球第一家掌握EUV量产技术的光刻机生产商。
科研人员咬牙苦干,通过自主创新,逐步掌握了光刻机所需的关键技术,不断提高本土零部件的自制能力。
中国在光刻机领域取得的成就,只是自主创新征程中的一个里程碑,未来,中国将继续瞄准EUV光刻机等先进技术。
目前,全球芯片制程发展的最新方向就是EUV,它利用极紫外线短波长描绘芯片图纹,可在同样尺寸上放置更多电元件,大幅提高芯片的集成度。
X射线光刻机利用波长更短的X射线纳米甚至更精细的芯片制程,有望成为EUV的继任者。
当然,X射线光刻机在制造和应用上也面临诸多技术挑战,比如掩模板的制造工艺异常复杂且昂贵,X射线的控制和安全防护也存在一定困难。
不过,这些困难并不能中国人的决心,事实上,多家单位已经在X射线光刻机领域展开了前瞻性研究,取得了初步进展,为未来突破奠定基础。
从光刻机的发展历程可以看出,中国突破技术的决心是坚定的,自主创新的内生动力也是充沛的。
回顾中国在光刻机领域的发展历程,其中的曲折和艰辛可以说是整个中国科技自立自强进程的一个缩影。
从早期的自主研制与中途放弃,到后来依赖进口受制于人,再到如今重新自主可控取得突破,中国芯片产业走过了一条漫长而曲折的道。
当前,即便已取得重大突破,但中国芯片产业的整体自主水平仍有待提高,本土化程度也有进一步提升的空间。
无论面临何种困难和,中国必将以自主创新的力量突破重围,谱写规则的崭新篇章,因为,对于充满雄心壮志的中国来说,没有什么是真正无法突破的!
观察者网——2024-06-05《英特尔CEO:如果美出口管制太严,中国就必须生产自己的芯片》